石墨烯的制备方法

一、微机剥离法

过多次粘贴将HOPG（Highly Oriented Pyrolytic Graphite），然后将带有石墨薄片的胶带粘贴到硅片等目标基体上，最后用丙酮等溶剂去除胶带,，从而在硅片等基体上得到单层和少层的石墨烯。

二、碳化硅外延生长法

在超高真空环境和高温下,，通过加热SiC 衬底，使其中的Si 原子升华， 留下的富C 原子表面则石墨化， 重构形成石墨烯层。

三、氧化还原法

将石墨氧化后（借助超声/高速离心）得到分散于溶液中的氧化石墨烯，再经过还原后，得到单层或多层的石墨烯。

四、化学气相沉积法（CVD）

利用甲烷等含碳化合物作为碳源，通过其在基体表面的高温分解生长石墨烯。从生长机理上主要可以分为两种：渗碳析碳机制和表面生长机制。

渗碳析碳机制：对于镍等具较高溶碳量的金属基体，碳源裂解产生的碳原子在高温时渗入金属基体内,，在降温时再从其内部析出成核， 进而生长成石墨烯。

表面生长机制：对于铜等较低碳量的金属基体，高温下气态碳源裂解生产的碳原子吸附在金属表面，进而成核生长成石墨烯孤岛。并通过石墨烯孤岛的二维长大得到连续的膜。